Bosch presenta su tercera generación de chips de carburo de silicio (SiC), que ofrecen un 20 % más de rendimiento

• Bosch ya ha entregado más de 60 millones de chips de carburo de silicio desde 2021.
• La compañía invierte casi 5 000 millones de euros para liderar la fabricación global de chips SiC.
• Markus Heyn: “Ayudamos a nuestros clientes a lanzar al mercado vehículos eléctricos cada vez más potentes y eficientes.”

Stuttgart, Alemania – Los chips fabricados con carburo de silicio (SiC) son fundamentales para mejorar la eficiencia de los coches eléctricos y aumentar su autonomía. Bosch ha dado ahora un paso más en el desarrollo de esta tecnología con la introducción de su tercera generación de chips SiC, que ya se está suministrando como muestra a fabricantes de automóviles de todo el mundo. Esto permitirá que, en el futuro, cada vez más vehículos eléctricos incorporen los chips de última generación de Bosch, mejorando su rendimiento y eficiencia energética. “Los semiconductores de carburo de silicio son uno de los motores clave de la movilidad eléctrica. Controlan el flujo de energía y lo hacen de la manera más eficiente posible. Con nuestros nuevos chips SiC, reforzamos nuestro liderazgo tecnológico y ayudamos a nuestros clientes a lanzar al mercado vehículos eléctricos aún más potentes y eficientes”, afirma Markus Heyn, miembro del Consejo de Administración de Bosch y presidente del área empresarial Bosch Mobility. “Nuestra ambición es clara: queremos ser uno de los principales fabricantes mundiales de chips SiC”.

Con esta apuesta, Bosch se posiciona en un mercado con un alto potencial de crecimiento. Según las previsiones de la consultora Yole Intelligence, el mercado mundial de semiconductores de potencia SiC crecerá desde los 2 000 millones de euros en 2023 hasta casi 8 000 millones de euros en 2029, impulsado principalmente por el avance de la movilidad eléctrica.

Miles de millones invertidos en una red global de fabricación

Los semiconductores de carburo de silicio conmutan de forma mucho más rápida y eficiente que los chips de silicio convencionales. Esto reduce las pérdidas de energía y permite una mayor densidad de potencia en los sistemas electrónicos. La nueva generación de chips SiC de Bosch no solo supone una ventaja tecnológica, sino también económica. “Nuestros chips de última generación ofrecen un 20 % más de rendimiento y son considerablemente más pequeños que los de la generación anterior”, explica Heyn. “Esta miniaturización es clave para mejorar la rentabilidad, ya que permite fabricar más chips por cada oblea”.

Desde que comenzó la producción de la primera generación en 2021, Bosch ha entregado más de 60 millones de chips SiC en todo el mundo. En los últimos años, la compañía ha reforzado tanto el desarrollo como su capacidad de fabricación y salas blancas. Bosch ha invertido cerca de 3 000 millones de euros en Europa como parte de los programas IPCEI (Proyectos Importantes de Interés Común Europeo) dedicados a la microelectrónica y las tecnologías de comunicación.

En su fábrica de Reutlingen (Alemania), Bosch desarrolla y produce los chips SiC de tercera generación sobre obleas modernas de 200 milímetros. A principios de 2025, la compañía adquirió una segunda fábrica en Roseville (California, EE. UU.), en la que está invirtiendo 1 900 millones de euros adicionales. Esta planta comenzará a fabricar y suministrar sus primeros chips SiC este mismo año, inicialmente como muestras para pruebas con clientes. En el futuro, Bosch suministrará sus chips SiC desde Alemania y Estados Unidos, reforzando la solidez y la resiliencia de la cadena de suministro en un contexto de rápida electrificación del sector automovilístico. A medio plazo, la compañía prevé ampliar su capacidad de producción hasta alcanzar los 900 millones de unidades al año.

El “proceso Bosch”, clave del éxito

Bosch se apoya en un conocimiento único en procesos de fabricación para desarrollar chips cada vez más pequeños y potentes. La compañía ha adaptado su conocido “proceso Bosch”, una tecnología de grabado desarrollada en 1994 y ampliamente reconocida en la industria. Este proceso, creado originalmente para sensores, permite fabricar estructuras verticales de alta precisión en el carburo de silicio, lo que incrementa de forma significativa la densidad de potencia de los chips. Este factor es clave para el mayor rendimiento de la tercera generación de semiconductores SiC de Bosch.